光刻胶去金属与金属离子纯化
“去金杂”不是普通颗粒过滤。本页从溶剂、树脂、聚合物到成品光刻胶区分纯化边界，并客观说明 Pall IonKleen SL 与 Entegris Purasol™ SN/SP-C Solvent Purifiers 的适用条件、配方保持风险与验证数据要求。
查看专题Application solutions
按半导体工艺与现场问题查找产品
覆盖光刻胶过滤、去金属、灌装产线设备与洁净包装，以及 EUV、MOR、NIL、CMP、湿法清洗、特气、MOCVD、UPW 与 PFA 管路等应用入口。
Pall application focus
Pall 重点应用快速入口
Pall 产品信息不再隐藏在通用应用列表中，可直接进入光刻胶或半导体工艺气体应用。
Pall lithography filtration
光刻胶与光化学品过滤
批量过滤、涂胶显影设备点位、颗粒、凝胶、金属贡献与微气泡控制。
查看应用与 Pall 系列
Pall process gas filtration
半导体工艺气体过滤
大宗分配、气柜、VMB、设备点位的 UHP 气体颗粒控制与过滤纯化边界。
查看应用与 Pall 系列EUV 光刻胶过滤：Pall 滤芯、批量与 POU 选型要点
EUV 光刻胶过滤的目标是降低会转化为微桥、断线等晶圆缺陷的颗粒和凝胶，同时控制滤芯初始金属、有机析出、启动冲洗量、微气泡与材料损失。批量过滤与涂胶设备使用点（POU）过滤必须分别定义。
查看专题MOR 金属氧化物光刻胶过滤：不能把有效金属当杂质
MOR（metal oxide resist）以金属氧化物或金属簇作为关键成分。过滤目标应是控制外来硬颗粒、非目标团聚物和设备产生污染，同时保持有效组分、分散状态与成膜性能；“去金属”在 MOR 场景下可能与材料目的相冲突。
查看专题NIL 纳米压印胶过滤：颗粒、气泡与模板缺陷控制
NIL（nanoimprint lithography）通过模板与液态抗蚀剂直接接触形成图形。材料中的硬颗粒可能造成模板重复缺陷或损伤，气泡和不完全填充则会形成非重复缺陷；滤芯选择必须与低黏度点胶、循环和模板验证一起设计。
查看专题Photoresist filling line & clean packaging
光刻胶与电子化学品灌装产线设备及洁净包装
并列保留灌装产线设备项目入口，以及 NOWPak 包装桶、内衬、封盖、连接器与洁净分配产品。
Photoresist Filtration
光刻胶过滤器与滤芯选型
回答光刻胶过滤器怎么选：先区分生产端批量、循环、灌装前终端与涂胶显影设备 POU 点位，再根据化学体系、膜材、颗粒与凝胶目标、流量压差、滞留量和微气泡风险确认滤芯方向。
Electronic Chemical Filtration & Purification
电子化学品材料厂生产端与灌装前过滤纯化
面向电子化学品材料厂的 PGMEA、PGME、NMP、IPA 等溶剂及配方化学品，在原料、生产循环、输送和灌装前终端区分颗粒过滤与金属离子纯化。本页不承接晶圆厂湿法槽液和设备点位循环过滤意图。
Ultrapure Gas Filtration & Purification
超高纯气体过滤与纯化
覆盖 Pall 与 Entegris 工艺气体产品，围绕大宗气、特气、气柜、VMB 与设备点位，将颗粒过滤和痕量杂质纯化分开确认。
Wet Process Chemical Filtration
FAB 湿法槽液与设备点位颗粒过滤
面向晶圆厂（FAB）湿法清洗与蚀刻设备中的酸碱槽液、清洗液和循环回路，从槽体、泵、管路与设备点位控制不溶性颗粒和析出风险。本页不承接材料厂生产端金属离子纯化意图。
Process Gas Point-of-use Filtration
沉积与刻蚀设备端气体过滤
针对 CVD、ALD、刻蚀、离子注入等设备端工艺气路，按气体兼容性、流量、温压、接口和安装位置确认点位过滤。
UPW and PFA Fluid Distribution
超纯水 UPW 与 PFA 流体输送
从超纯水支路、设备配管到高纯化学品模块，围绕 PFA 管材、接头、阀门、死体积、洁净度和安装条件整理配置。
How to start
没有型号也可以开始
提交介质、流量、温压、接口、设备位置和目标问题，我们会先把缺失条件列清楚。
工程边界
最终产品选择需以正式数据表、化学兼容性、原厂建议及客户验证结果为准。
描述你的应用